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BAS116E6433HTMA1_二极管整流器
BAS116E6433HTMA1
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23

二极管整流器

+1:

¥0.770393

+200:

¥0.307392

+500:

¥0.297121

+1000:

¥0.292044

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 250mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA 75 V

不同 Vr、F 时电容: 2pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: PG-SOT23

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

Digi-Key
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BAS116E6433HTMA1_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23

二极管整流器

+30000:

¥0.611876

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 250mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA 75 V

不同 Vr、F 时电容: 2pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: PG-SOT23

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

BAS116E6433HTMA1_二极管整流器

RECTIFIER DIODE, 1 ELEMENT

二极管整流器

+1:

¥0.283351

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Bulk

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

Mouser
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BAS116E6433HTMA1_二极管与整流器
BAS116E6433HTMA1
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23

二极管与整流器

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 250mA(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 1.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA 75 V

不同 Vr、F 时电容: 2pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: PG-SOT23

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

艾睿
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BAS116E6433HTMA1_未分类
BAS116E6433HTMA1
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 85V 0.25A 1500ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

未分类

+30000:

¥0.419771

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

BAS116E6433HTMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 1.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 nA 75 V
不同 Vr、F 时电容: 2pF 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23
工作温度 - 结: 150°C(最大)
温度: