锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 BAS516,H3F 共 8 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BAS516,H3F_二极管整流器
BAS516,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

下载数据手册

二极管整流器
+1：

￥0.35161

+200：

￥0.140294

+500：

￥0.135607

+1000：

￥0.13329

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： ESC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BAS516,H3F_二极管整流器
BAS516,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

下载数据手册

二极管整流器
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： ESC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BAS516,H3F_二极管整流器
BAS516,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

下载数据手册

二极管整流器
+4000：

￥4.049224

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： ESC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

BAS516,H3F_未分类
BAS516,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

下载数据手册

未分类
+4000：

￥0.432647

+8000：

￥0.33657

+12000：

￥0.309798

+20000：

￥0.307657

+28000：

￥0.258701

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SC-79, SOD-523

Mounting Type： Surface Mount

Diode Type： Standard

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 3 ns

Capacitance @ Vr, F： 0.35pF @ 0V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 250mA

Supplier Device Package： ESC

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 nA @ 80 V

BAS516,H3F_未分类
BAS516,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

下载数据手册

未分类
+1：

￥2.600768

+10：

￥1.744044

+100：

￥0.90721

+500：

￥0.678954

+1000：

￥0.576605

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SC-79, SOD-523

Mounting Type： Surface Mount

Diode Type： Standard

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 3 ns

Capacitance @ Vr, F： 0.35pF @ 0V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 250mA

Supplier Device Package： ESC

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 nA @ 80 V

BAS516,H3F_未分类
BAS516,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

下载数据手册

未分类
+1：

￥2.600768

+10：

￥1.744044

+100：

￥0.90721

+500：

￥0.678954

+1000：

￥0.576605

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： SC-79, SOD-523

Mounting Type： Surface Mount

Diode Type： Standard

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 3 ns

Capacitance @ Vr, F： 0.35pF @ 0V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 250mA

Supplier Device Package： ESC

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 nA @ 80 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BAS516,H3F_未分类
BAS516,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

下载数据手册

未分类
+1：

￥2.819092

+10：

￥1.989948

+100：

￥1.061306

+500：

￥0.829145

+1000：

￥0.580403

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： ESC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BAS516,H3F_未分类
BAS516,H3F
Toshiba
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching Si 100V 0.5A 3ns 2-Pin ESC T/R

下载数据手册

未分类
+4000：

￥0.530888

+12000：

￥0.52934

+24000：

￥0.527793

+100000：

￥0.526244

+500000：

￥0.524696

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

BAS516,H3F参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA
速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 3 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA 80 V
不同 Vr、F 时电容: 0.35pF 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: ESC
工作温度 - 结: 150°C（最大）
温度: