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BAS316,H3F_二极管整流器
BAS316,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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二极管整流器
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￥0.307656

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￥0.122757

+500：

￥0.118655

+1000：

￥0.116628

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-76，SOD-323

供应商器件封装： USC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

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BAS316,H3F_二极管整流器
BAS316,H3F
Toshiba(东芝)
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DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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二极管整流器
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￥0.52151

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-76，SOD-323

供应商器件封装： USC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

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BAS316,H3F_二极管整流器
BAS316,H3F
Toshiba(东芝)
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DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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二极管整流器
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-76，SOD-323

供应商器件封装： USC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

Digi-Key
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BAS316,H3F_二极管整流器
BAS316,H3F
Toshiba(东芝)
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DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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二极管整流器
+3000：

￥0.47688

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-76，SOD-323

供应商器件封装： USC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

BAS316,H3F_未分类
BAS316,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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未分类
+3000：

￥0.469516

+6000：

￥0.436012

+9000：

￥0.38216

+15000：

￥0.32479

+21000：

￥0.323567

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SC-76, SOD-323

Mounting Type： Surface Mount

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 3 ns

Technology： Standard

Capacitance @ Vr, F： 0.35pF @ 0V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 250mA

Supplier Device Package： USC

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 nA @ 80 V

BAS316,H3F_未分类
BAS316,H3F
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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+1：

￥1.835836

+10：

￥1.1168

+100：

￥0.90721

+500：

￥0.657536

+1000：

￥0.522297

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SC-76, SOD-323

Mounting Type： Surface Mount

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 3 ns

Technology： Standard

Capacitance @ Vr, F： 0.35pF @ 0V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 250mA

Supplier Device Package： USC

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 nA @ 80 V

BAS316,H3F_未分类
BAS316,H3F
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DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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+1：

￥1.835836

+10：

￥1.1168

+100：

￥0.90721

+500：

￥0.657536

+1000：

￥0.522297

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： SC-76, SOD-323

Mounting Type： Surface Mount

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 3 ns

Technology： Standard

Capacitance @ Vr, F： 0.35pF @ 0V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 250mA

Supplier Device Package： USC

Operating Temperature - Junction： 150°C (Max)

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA

Current - Reverse Leakage @ Vr： 200 nA @ 80 V

Mouser
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BAS316,H3F_null
BAS316,H3F
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DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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+1：

￥1.989948

+10：

￥1.210551

+100：

￥0.895477

+500：

￥0.663316

+1000：

￥0.514071

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 250mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 3 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容： 0.35pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-76，SOD-323

供应商器件封装： USC

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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BAS316,H3F
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R

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+3000：

￥2.947122

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货期：7~10 天

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BAS316,H3F
Toshiba
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Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R

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+1：

￥1.272871

+10：

￥0.867299

+25：

￥0.857939

+100：

￥0.486686

+250：

￥0.480448

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

BAS316,H3F参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 250mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA
速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 3 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA 80 V
不同 Vr、F 时电容: 0.35pF 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: USC
工作温度 - 结: 150°C（最大）
温度: