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BAS16-G3-18_二极管整流器
BAS16-G3-18
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V

电流 - 平均整流 (Io): 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 75 V

不同 Vr、F 时电容: 4pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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BAS16-G3-18_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

二极管整流器

+10000:

¥0.422013

+30000:

¥0.414495

+50000:

¥0.372425

+100000:

¥0.330208

+250000:

¥0.322692

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V

电流 - 平均整流 (Io): 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 75 V

不同 Vr、F 时电容: 4pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Mouser
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BAS16-G3-18_未分类
BAS16-G3-18
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

未分类

+1:

¥3.814066

+10:

¥2.570349

+100:

¥1.2603

+1000:

¥0.729648

+2500:

¥0.630151

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V

电流 - 平均整流 (Io): 150mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 75 V

不同 Vr、F 时电容: 4pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

艾睿
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BAS16-G3-18_未分类
BAS16-G3-18
授权代理品牌

Rectifier Diode Small Signal Switching 75V 0.3A 6ns 3-Pin SOT-23 T/R

未分类

+10000:

¥0.403593

+12000:

¥0.402136

+15000:

¥0.399221

+20000:

¥0.397764

+24000:

¥0.39485

库存: 0

货期:7~10 天

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BAS16-G3-18参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V 150 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 6 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
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