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	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册二极管整流器	+20：￥0.408576 +100：￥0.371432 +500：￥0.34667 +1000：￥0.321908 +5000：￥0.292196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

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	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册二极管整流器	+10：￥0.807191 +100：￥0.538087 +300：￥0.448426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册二极管整流器	+20：￥0.521389 +100：￥0.352594 +800：￥0.258819 +3000：￥0.18755 +6000：￥0.178233	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

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	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.186219	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

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	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册未分类	+3000：￥0.17296 +12000：￥0.169904 +45000：￥0.166847 +75000：￥0.163791 +150000：￥0.162209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册未分类	+1：￥0.876604 +30：￥0.284893 +100：￥0.235463 +500：￥0.222287 +1500：￥0.21396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册未分类	+3000：￥0.497726 +15000：￥0.43438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：
	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.414662 +200：￥0.267527 +1500：￥0.232567 +3000：￥0.205942	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

自营国内现货

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	BAV21W-E3-08 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥0.262413 +6000：￥0.23771 +9000：￥0.224953 +15000：￥0.210506 +21000：￥0.201876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 100 mA 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 150 V 不同 Vr、F 时电容： 1.5pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-123 供应商器件封装： SOD-123 工作温度 - 结： 175°C（最大）温度：

BAV21W-E3-08参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	250mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1 V 100 mA
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	100 nA 150 V
不同 Vr、F 时电容:	1.5pF 0V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOD-123
供应商器件封装:	SOD-123
工作温度 - 结:	175°C（最大）
温度: