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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116LYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN 下载数据手册未分类	+10：￥0.375625 +100：￥0.306481 +300：￥0.271909 +1000：￥0.245978 +5000：￥0.214864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V 电流 - 平均整流 (Io)： 325mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-882 供应商器件封装： DFN1006-2 工作温度 - 结： 150°C（最大）温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116LYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN 下载数据手册二极管整流器	+10000：￥0.382948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V 电流 - 平均整流 (Io)： 325mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-882 供应商器件封装： DFN1006-2 工作温度 - 结： 150°C（最大）温度：
	BAS116LYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	DIODE GP 75V 325MA DFN1006-2 下载数据手册未分类	+10000：￥0.431772 +30000：￥0.424199 +50000：￥0.380907 +100000：￥0.337758 +250000：￥0.330186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： SOD-882 Mounting Type： Surface Mount Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 3 µs Technology： Standard Capacitance @ Vr, F： 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 325mA Supplier Device Package： DFN1006-2 Operating Temperature - Junction： 150°C (Max) Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 nA @ 75 V
	BAS116LYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	DIODE GP 75V 325MA DFN1006-2 下载数据手册未分类	+1：￥3.286145 +10：￥2.286014 +100：￥1.117291 +500：￥0.932124 +1000：￥0.647657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： SOD-882 Mounting Type： Surface Mount Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 3 µs Technology： Standard Capacitance @ Vr, F： 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 325mA Supplier Device Package： DFN1006-2 Operating Temperature - Junction： 150°C (Max) Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 nA @ 75 V
	BAS116LYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	DIODE GP 75V 325MA DFN1006-2 下载数据手册未分类	+1：￥3.286145 +10：￥2.286014 +100：￥1.117291 +500：￥0.932124 +1000：￥0.647657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： SOD-882 Mounting Type： Surface Mount Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 3 µs Technology： Standard Capacitance @ Vr, F： 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 325mA Supplier Device Package： DFN1006-2 Operating Temperature - Junction： 150°C (Max) Part Status： Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 nA @ 75 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116LYL Nexperia(安世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN 下载数据手册未分类	+1：￥3.415093 +10：￥2.691093 +100：￥1.43434 +500：￥0.983547 +1000：￥0.642037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 75 V 电流 - 平均整流 (Io)： 325mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOD-882 供应商器件封装： DFN1006-2 工作温度 - 结： 150°C（最大）温度：

BAS116LYL参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	75 V
电流 - 平均整流 (Io):	325mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.25 V 150 mA
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 nA 75 V
不同 Vr、F 时电容:	2pF 0V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOD-882
供应商器件封装:	DFN1006-2
工作温度 - 结:	150°C（最大）
温度: