品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：