品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

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封装/外壳： *

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二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

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工作温度 - 结： -55°C # 125°C

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二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

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封装/外壳： *

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二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

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封装/外壳： *

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二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 40 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容： 110pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

工作温度 - 结： -55°C # 125°C

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