品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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封装/外壳： *

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电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

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工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.4 V 1.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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