品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOD-57, Axial

Mounting Type： Through Hole

Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 4 µs

Technology： Avalanche

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 2A

Supplier Device Package： SOD-57

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 800 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1 V @ 1 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 1 µA @ 800 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SOD-57, Axial

Mounting Type： Through Hole

Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 4 µs

Technology： Avalanche

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 2A

Supplier Device Package： SOD-57

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 800 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1 V @ 1 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 1 µA @ 800 V

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：