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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BYG10J-E3/TR_二极管整流器
BYG10J-E3/TR
Vishay(威世)
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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二极管整流器
+10：

￥0.88964

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￥0.811148

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￥0.732643

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￥0.65415

+2000：

￥0.601818

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BYG10J-E3/TR_二极管整流器
BYG10J-E3/TR
Vishay(威世)
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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二极管整流器
+10：

￥1.52064

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￥1.238688

+200：

￥0.993456

+300：

￥0.88704

+500：

￥0.823392

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BYG10J-E3/TR_null
BYG10J-E3/TR
Vishay(威世)
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
+1：

￥0.866649

+10：

￥0.716956

+30：

￥0.652772

+100：

￥0.588693

+500：

￥0.545833

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

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BYG10J-E3/TR_二极管整流器
BYG10J-E3/TR
Vishay(威世)
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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二极管整流器
+1：

￥0.527681

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

自营 国内现货
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BYG10J-E3/TR_二极管整流器
BYG10J-E3/TR
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二极管整流器
+141：

￥0.680046

+225：

￥0.628126

+450：

￥0.571456

+900：

￥0.505368

+1800：

￥0.477032

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

Digi-Key
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二极管整流器
+141：

￥1.175118

+225：

￥1.0854

+450：

￥0.987474

+900：

￥0.873275

+1800：

￥0.824311

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

BYG10J-E3/TR_二极管整流器
BYG10J-E3/TR
Vishay(威世)
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DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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二极管整流器
+141：

￥1.175118

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￥1.0854

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库存： 0

货期：7~10 天

包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -55°C # 150°C

封装/外壳： DO-214AC, SMA

供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

BYG10J-E3/TR_二极管整流器
BYG10J-E3/TR
Vishay(威世)
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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二极管整流器
+141：

￥1.175118

+225：

￥1.0854

+450：

￥0.987474

+900：

￥0.873275

+1800：

￥0.824311

库存： 0

货期：7~10 天

包装： Digi-Reel® Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -55°C # 150°C

封装/外壳： DO-214AC, SMA

供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
BYG10J-E3/TR_二极管与整流器
BYG10J-E3/TR
Vishay(威世)
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-214AC，SMA

供应商器件封装： DO-214AC（SMA）

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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BYG10J-E3/TR参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 1.5 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 4 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: