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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BYG10MHE3_A/I_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

二极管整流器

+7500:

¥1.630996

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 1.5 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BYG10MHE3_A/I_二极管与整流器
BYG10MHE3_A/I
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

二极管与整流器

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 1.5 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

BYG10MHE3_A/I参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
二极管类型: 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 1.5 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 4 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: