BAS116T-7-F厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523 下载数据手册二极管整流器	+5：￥1.177344 +50：￥0.7848 +150：￥0.654048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 85 V 电流 - 平均整流 (Io)： 215mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523 下载数据手册未分类	+5：￥0.598778 +50：￥0.487171 +150：￥0.431368 +500：￥0.389516 +2500：￥0.356034	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 85 V 电流 - 平均整流 (Io)： 215mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥0.387634 +6000：￥0.337073 +15000：￥0.286512 +30000：￥0.269658 +75000：￥0.252805	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 85 V 电流 - 平均整流 (Io)： 215mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥0.66983 +6000：￥0.582461 +15000：￥0.495092 +30000：￥0.465968 +75000：￥0.436846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 85 V 电流 - 平均整流 (Io)： 215mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：
	BAS116T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523 下载数据手册二极管整流器	+1：￥3.813734 +10：￥3.131885 +100：￥1.659552 +500：￥1.092115 +1000：￥0.742639	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 150°C 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523
	BAS116T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523 下载数据手册二极管整流器	+1：￥3.813734 +10：￥3.131885 +100：￥1.659552 +500：￥1.092115 +1000：￥0.742639	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 150°C 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523 下载数据手册未分类	+1：￥4.505186 +10：￥3.696902 +100：￥1.961081 +500：￥1.298553 +1000：￥0.887787	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 85 V 电流 - 平均整流 (Io)： 215mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 3 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

BAS116T-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	85 V
电流 - 平均整流 (Io):	215mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.25 V 150 mA
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 nA 75 V
不同 Vr、F 时电容:	2pF 0V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-523
供应商器件封装:	SOT-523
工作温度 - 结:	-65°C # 150°C
温度: