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BA779-HG3-08参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
二极管类型: | PIN - 单 |
电压 - 峰值反向(最大值): | 30V |
电流 - 最大值: | 50 mA |
不同 Vr、F 时电容: | 0.5pF 0V,100MHz |
不同 If、F 时电阻: | 50 欧姆 1.5mA,100MHz |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | 125°C(TJ) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
温度: | 125°C(TJ) |