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	BYM10-50-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+5：￥2.680029 +50：￥1.786686 +150：￥1.488905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营现货库存

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	BYM10-50-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 下载数据手册	+1：￥1.67166 +10：￥1.378109 +30：￥1.252286 +100：￥1.12657 +500：￥1.042653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营国内现货

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	BYM10-50-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥0.624324 +3000：￥0.571274 +7500：￥0.546312 +10500：￥0.483822 +37500：￥0.477626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYM10-50-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥1.527261 +3000：￥1.397486 +7500：￥1.336423 +10500：￥1.183556 +37500：￥1.168398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	BYM10-50-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.194765 +10：￥3.884268 +25：￥3.499383 +100：￥1.845323 +250：￥1.826196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-213AB, MELF (Glass) 供应商器件封装： DO-213AB
	BYM10-50-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-213AB, MELF (Glass) 供应商器件封装： DO-213AB

Mouser

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	BYM10-50-E3/96 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 下载数据手册二极管与整流器	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装： DO-213AB 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

BYM10-50-E3/96参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SUPERECTIFIER®
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	50 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.1 V 1 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容:	8pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装:	DO-213AB
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: