品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 30 V

电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 800 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 5 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 25 V

不同 Vr、F 时电容： 10pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-79，SOD-523

供应商器件封装： PG-SC79-2

工作温度 - 结： 150°C（最大）

温度：