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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BAS386-TR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF

二极管整流器

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¥0.497299

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¥0.40882

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¥0.364581

+500:

¥0.3314

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¥0.304857

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容: 880pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

工作温度 - 结: 125°C(最大)

温度:

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BAS386-TR_二极管整流器
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DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF

二极管整流器

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品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容: 880pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

工作温度 - 结: 125°C(最大)

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BAS386-TR_二极管整流器
BAS386-TR
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DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF

二极管整流器

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品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容: 880pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

供应商器件封装: MicroMELF

工作温度 - 结: 125°C(最大)

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BAS386-TR
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DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF

二极管整流器

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品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容: 880pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

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BAS386-TR
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二极管整流器

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¥0.32865

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¥0.31117

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二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

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速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,无引线

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工作温度 - 结: 125°C(最大)

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二极管整流器

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¥0.423343

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¥0.4123

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¥0.404939

+12500:

¥0.39463

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二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

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不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

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封装/外壳: 2-SMD,无引线

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¥0.435492

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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

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速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

不同 Vr、F 时电容: 880pF 0V,1MHz

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封装/外壳: 2-SMD,无引线

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二极管整流器

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¥0.348738

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¥0.345671

+25000:

¥0.342602

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¥0.336466

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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

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工作温度 - 结: 125°C(最大)

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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

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¥0.565783

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¥0.540926

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¥0.467819

+25000:

¥0.459046

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¥0.380088

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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 200mA

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BAS386-TR参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V
不同 Vr、F 时电容: 880pF 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 2-SMD,无引线
供应商器件封装: MicroMELF
工作温度 - 结: 125°C(最大)
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