品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 70 V

电流 - 平均整流 (Io)： 70mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 960 mV 15 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 70 V

不同 Vr、F 时电容： 1pF 0V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 0402（1006 公制）

供应商器件封装： X1-DFN1006-2

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -65°C # 150°C

封装/外壳： 0402 (1006 Metric)

供应商器件封装： X1-DFN1006-2