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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BYM13-30-E3/96_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

二极管整流器

+1500:

¥1.103106

+3000:

¥1.03632

+7500:

¥0.935999

+10500:

¥0.869142

+37500:

¥0.84912

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA 30 V

不同 Vr、F 时电容: 110pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF

供应商器件封装: GL41(DO-213AB)

工作温度 - 结: -55°C # 125°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
BYM13-30-E3/96_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

二极管整流器

+1500:

¥1.906164

+3000:

¥1.790758

+7500:

¥1.617403

+10500:

¥1.501874

+37500:

¥1.467278

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA 30 V

不同 Vr、F 时电容: 110pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF

供应商器件封装: GL41(DO-213AB)

工作温度 - 结: -55°C # 125°C

温度:

BYM13-30-E3/96_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

二极管整流器

+1:

¥5.065969

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¥4.336964

+25:

¥4.042891

+100:

¥3.003749

+250:

¥2.853748

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 125°C

封装/外壳: DO-213AB, MELF

供应商器件封装: GL41 (DO-213AB)

BYM13-30-E3/96_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 125°C

封装/外壳: DO-213AB, MELF

供应商器件封装: GL41 (DO-213AB)

Mouser
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BYM13-30-E3/96_二极管与整流器
BYM13-30-E3/96
授权代理品牌

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB

二极管与整流器

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA 30 V

不同 Vr、F 时电容: 110pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF

供应商器件封装: GL41(DO-213AB)

工作温度 - 结: -55°C # 125°C

温度:

BYM13-30-E3/96参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA 30 V
不同 Vr、F 时电容: 110pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB,MELF
供应商器件封装: GL41(DO-213AB)
工作温度 - 结: -55°C # 125°C
温度: