搜索 BYG20J-E3/TR 共 20 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
BYG20J-E3/TR 授权代理品牌 | 快恢复/超快恢复二极管 BYG20J-E3/TR SMA | +10: ¥2.752272 +100: ¥1.978992 +200: ¥1.514016 +300: ¥1.273536 +500: ¥1.15632 | 暂无参数 |
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
BYG20J-E3/TR 授权代理品牌 | +1: ¥1.291215 +100: ¥0.86081 +900: ¥0.781397 +1800: ¥0.710203 | ||||
BYG20J-E3/TR 授权代理品牌 | +100: ¥0.790457 +500: ¥0.770361 +1000: ¥0.750265 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
BYG20J-E3/TR 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
BYG20J-E3/TR参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 雪崩 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 600 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 1.5A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.4 V 1.5 A |
速度: | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | 75 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 1 µA 600 V |
不同 Vr、F 时电容: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装: | DO-214AC(SMA) |
工作温度 - 结: | -55°C # 150°C |
温度: |