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BYG20J-E3/TR_二极管整流器
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DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC

二极管整流器

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¥1.028578

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¥0.93782

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¥0.756305

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¥0.69581

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 1.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

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BYG20J-E3/TR_未分类
BYG20J-E3/TR
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快恢复/超快恢复二极管 BYG20J-E3/TR SMA

未分类

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BYG20J-E3/TR_二极管整流器
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DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC

二极管整流器

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 1.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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BYG20J-E3/TR_二极管整流器
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DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC

二极管整流器

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库存: 1000 +

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品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 1.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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BYG20J-E3/TR_二极管整流器
BYG20J-E3/TR
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DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC

二极管整流器

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¥0.753382

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¥0.621876

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¥0.618867

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 1.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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BYG20J-E3/TR
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二极管整流器

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¥0.770361

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 1.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 1.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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BYG20J-E3/TR_二极管整流器
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二极管整流器

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¥1.284607

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货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 1.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 1.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 75 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

BYG20J-E3/TR_二极管整流器
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DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC

二极管整流器

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¥4.178841

+10:

¥3.281164

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¥1.970247

+500:

¥1.824142

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货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: DO-214AC, SMA

供应商器件封装: DO-214AC (SMA)

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二极管整流器

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¥3.281164

+100:

¥1.970247

+500:

¥1.824142

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货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: DO-214AC, SMA

供应商器件封装: DO-214AC (SMA)

BYG20J-E3/TR参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 1.5 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: