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BAR9002ELE6327XTMA1_二极管射频
BAR9002ELE6327XTMA1
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RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19

二极管射频

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: PIN - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 80V

电流 - 最大值: 100 mA

不同 Vr、F 时电容: 0.35pF 1V,1MHz

不同 If、F 时电阻: 800 毫欧 10mA,100MHz

功率耗散(最大值): 250 mW

工作温度: 150°C(TJ)

封装/外壳: 0402(1006 公制)

供应商器件封装: PG-TSLP-2-19

温度: 150°C(TJ)

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二极管射频

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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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二极管类型: PIN - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 80V

电流 - 最大值: 100 mA

不同 Vr、F 时电容: 0.35pF 1V,1MHz

不同 If、F 时电阻: 800 毫欧 10mA,100MHz

功率耗散(最大值): 250 mW

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封装/外壳: 0402(1006 公制)

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BAR9002ELE6327XTMA1_二极管射频
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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二极管类型: PIN - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 80V

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不同 If、F 时电阻: 800 毫欧 10mA,100MHz

功率耗散(最大值): 250 mW

工作温度: 150°C(TJ)

封装/外壳: 0402(1006 公制)

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BAR9002ELE6327XTMA1
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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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二极管类型: PIN - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 80V

电流 - 最大值: 100 mA

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功率耗散(最大值): 250 mW

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二极管类型: PIN - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 80V

电流 - 最大值: 100 mA

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功率耗散(最大值): 250 mW

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二极管类型: PIN - 单

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工作温度: 150°C(TJ)

封装/外壳: 0402(1006 公制)

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二极管类型: PIN - 单

电压 - 峰值反向(最大值): 80V

电流 - 最大值: 100 mA

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功率耗散(最大值): 250 mW

工作温度: 150°C(TJ)

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二极管类型: PIN - 单

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电流 - 最大值: 100 mA

不同 Vr、F 时电容: 0.35pF 1V,1MHz

不同 If、F 时电阻: 800 毫欧 10mA,100MHz

功率耗散(最大值): 250 mW

工作温度: 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

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封装/外壳: 0402 (1006 Metric)

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BAR9002ELE6327XTMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: PIN - 单
电压 - 峰值反向(最大值): 80V
电流 - 最大值: 100 mA
不同 Vr、F 时电容: 0.35pF 1V,1MHz
不同 If、F 时电阻: 800 毫欧 10mA,100MHz
功率耗散(最大值): 250 mW
工作温度: 150°C(TJ)
封装/外壳: 0402(1006 公制)
供应商器件封装: PG-TSLP-2-19
温度: 150°C(TJ)