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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 下载数据手册二极管整流器	+5：￥0.87241 +50：￥0.741609 +150：￥0.610687 +500：￥0.545226 +2500：￥0.501666	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 500 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结： -65°C # 125°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 下载数据手册二极管整流器	+5：￥0.442852 +50：￥0.387667 +150：￥0.360076 +500：￥0.339382 +2500：￥0.306272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 500 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结： -65°C # 125°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 下载数据手册二极管整流器	+5500：￥0.337315 +11000：￥0.299867 +27500：￥0.291752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 500 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结： -65°C # 125°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 下载数据手册二极管整流器	+5500：￥0.82516 +11000：￥0.733554 +27500：￥0.713701	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 500 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结： -65°C # 125°C 温度：
	BA159-E3/54 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 下载数据手册二极管整流器	+1：￥4.821344 +10：￥3.559287 +100：￥2.017874 +500：￥1.336364 +1000：￥1.024537	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Through Hole 工作温度-结： -65°C # 125°C 封装/外壳： DO-204AL, DO-41, Axial 供应商器件封装： DO-204AL (DO-41)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥5.383854 +10：￥3.785013 +100：￥1.566213 +1000：￥0.978883 +2500：￥0.848365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 500 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 12pF 4V，1MHz 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结： -65°C # 125°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin DO-41 T/R 下载数据手册未分类	+22000：￥0.435477	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+10：￥1.006667 +100：￥0.959183 +250：￥0.860416 +500：￥0.763547 +1000：￥0.717013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 VISHAY(威世) 授权代理品牌	BA159 Series 1000 V 500 ns Fast Switching Plastic Rectifier - DO-204AL (DO-41) 下载数据手册未分类	+5500：￥0.359621 +16500：￥0.346121 +27500：￥0.340336 +55000：￥0.332625 +110000：￥0.320091	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BA159-E3/54 VISHAY(威世) 授权代理品牌	Vishay 通孔开关二极管, 1A, 1000V, DO-204AL, 2引脚, 单路, BA159-E3/54 下载数据手册未分类	+5500：￥0.441448 +11000：￥0.428602 +22000：￥0.415755	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BA159-E3/54参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.3 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	12pF 4V，1MHz
安装类型:	通孔
封装/外壳:	DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装:	DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结:	-65°C # 125°C
温度: