BYG10D-E3/TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYG10D-E3/TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 下载数据手册二极管整流器	+1：￥2.542331 +10：￥1.694968 +30：￥1.412433	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYG10D-E3/TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.723338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYG10D-E3/TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYG10D-E3/TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 下载数据手册二极管整流器	+304：￥0.25569 +1000：￥0.232403	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYG10D-E3/TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 下载数据手册二极管整流器	+304：￥0.625485 +1000：￥0.568519	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	BYG10D-E3/TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 下载数据手册二极管整流器	+137：￥1.393472 +187：￥1.287133 +375：￥1.170887 +750：￥1.035485 +3000：￥0.977362	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)
	BYG10D-E3/TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 下载数据手册二极管整流器	+304：￥0.625485 +1000：￥0.568519	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYG10D-E3/TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥7.174485 +10：￥4.744943 +100：￥4.141633 +1800：￥4.141633 +23400：￥1.646872	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 1.5 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 4 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYG10D-E3/TR Vishay 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 200V 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R 下载数据手册未分类	+1：￥1.452953	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BYG10D-E3/TR VISHAY(威世) 授权代理品牌	DIODE, STANDARD, 1.5 A, DO-214 下载数据手册未分类	+1：￥3.787235 +10：￥3.061245 +100：￥2.081162 +500：￥1.560871	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BYG10D-E3/TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.15 V 1.5 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	4 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	1 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: