搜索 BYG10M-E3/TR 共 9 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BYG10M-E3/TR 授权代理品牌 | 雪崩二极管 BYG10M-E3/TR DO-214AC | +20: ¥1.512863 +100: ¥1.022934 +500: ¥0.750926 +1800: ¥0.5445 +3600: ¥0.517033 | 暂无参数 |
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | BYG10M-E3/TR 授权代理品牌 | +5: ¥0.85576 +50: ¥0.700593 +150: ¥0.623009 |
自营 国内现货
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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BYG10M-E3/TR 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
BYG10M-E3/TR参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Active |
二极管类型: | Avalanche |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 1000 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 1.5A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.15 V 1.5 A |
速度: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
反向恢复时间 (trr): | 4 µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 1 µA 1000 V |
不同 Vr、F 时电容: | - |
安装类型: | Surface Mount |
封装/外壳: | DO-214AC, SMA |
供应商器件封装: | DO-214AC (SMA) |
工作温度 - 结: | -55°C # 150°C |
温度: |