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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.770393 +200：￥0.307392 +500：￥0.297121 +1000：￥0.292044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 工作温度 - 结： 150°C（最大）温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.283987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 工作温度 - 结： 150°C（最大）温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥0.350669 +6000：￥0.32532 +9000：￥0.269777 +30000：￥0.264987 +75000：￥0.238004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 工作温度 - 结： 150°C（最大）温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥0.857829 +6000：￥0.79582 +9000：￥0.659945 +30000：￥0.648227 +75000：￥0.582219	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 工作温度 - 结： 150°C（最大）温度：
	BAS116E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.143531 +10：￥3.50046 +100：￥1.707368 +500：￥1.424759 +1000：￥0.989846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： 150°C (Max) 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
	BAS116E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.143531 +10：￥3.50046 +100：￥1.707368 +500：￥1.424759 +1000：￥0.989846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： 150°C (Max) 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116E6327HTSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥5.879829 +10：￥3.495233 +100：￥1.600621 +1000：￥1.1433 +3000：￥0.832977	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 250mA（DC）不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.25 V 150 mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 nA 75 V 不同 Vr、F 时电容： 2pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： PG-SOT23 工作温度 - 结： 150°C（最大）温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116E6327HTSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 85V 0.25A 1500ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.667633 +6000：￥0.661395 +9000：￥0.602118 +24000：￥0.550643 +30000：￥0.544402	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	BAS116E6327HTSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+3000：￥0.407346 +6000：￥0.403539 +9000：￥0.367372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	BAS116E6327HTSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+100：￥0.894635 +250：￥0.796606 +500：￥0.706191 +1000：￥0.663363 +2500：￥0.625294	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

BAS116E6327HTSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	80 V
电流 - 平均整流 (Io):	250mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.25 V 150 mA
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	1.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 nA 75 V
不同 Vr、F 时电容:	2pF 0V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	PG-SOT23
工作温度 - 结:	150°C（最大）
温度: