品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.5 V 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.5 V 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.5 V 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.5 V 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.5 V 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.5 V 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 2.5 V 1 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 30 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Through Hole

工作温度-结： -55°C # 175°C

封装/外壳： SOD-57, Axial

供应商器件封装： SOD-57

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOD-57, Axial

Mounting Type： Through Hole

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 30 ns

Technology： Avalanche

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 1A

Supplier Device Package： SOD-57

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 600 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 2.5 V @ 1 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 600 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SOD-57, Axial

Mounting Type： Through Hole

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 30 ns

Technology： Avalanche

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 1A

Supplier Device Package： SOD-57

Operating Temperature - Junction： -55°C ~ 175°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 600 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 2.5 V @ 1 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 600 V