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AONS36314_未分类
AONS36314
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场效应管(MOSFET) AONS36314 DFN5x6-8L

未分类

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¥6.601518

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¥4.464295

+800:

¥3.277043

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¥2.374625

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¥2.255924

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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AONS36314
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: DFN 5x6

FET类型: N-Channel

工作温度: -55°C~150°C

栅极电压Vgs: ±12V

漏源极电压Vds: 30V

连续漏极电流Id: 85A

Rds OnMax@Id,Vgs: 2.9mΩ@20A,10V

Pd-功率耗散Max: 42W

自营 国内现货
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AONS36314_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥1.87523

+6000:

¥1.763511

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36.5A (Ta),85A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.9 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.9V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1890 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 6.2W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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AONS36314_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+3000:

¥4.587309

+6000:

¥4.314015

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36.5A (Ta),85A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.9 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.9V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1890 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 6.2W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AONS36314_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥11.900733

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¥10.441478

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¥8.003243

+500:

¥6.327223

+1000:

¥5.061779

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-DFN-EP (5x6)

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授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-DFN-EP (5x6)

AONS36314参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36.5A (Ta),85A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.9 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.9V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1890 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 6.2W(Ta),42W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线
温度: -55°C # 150°C(TJ)