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AONS32304
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场效应管(MOSFET) AONS32304 DFN5x6-8L

未分类

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¥12.4416

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¥10.13472

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¥8.128512

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¥7.2576

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¥6.736608

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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AONS32304
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¥2.891284

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¥2.748665

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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AONS32304_晶体管-FET,MOSFET-单个
AONS32304
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¥4.500846

+200:

¥3.967412

+500:

¥3.606233

+1000:

¥3.383969

+3000:

¥3.325625

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A (Ta),140A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.3 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5970 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 6.2W (Ta),78W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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AONS32304_null
AONS32304
授权代理品牌
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¥4.918234

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¥3.914438

+1000:

¥2.820787

+1500:

¥2.428013

+3000:

¥1.91808

库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: DFN 5x6

FET类型: N-Channel

栅极电压Vgs: 20V

漏源极电压Vds: 30V

连续漏极电流Id: 140A

Rds OnMax@Id,Vgs: 2.3mΩ@10V

Pd-功率耗散Max: 78W

自营 国内现货
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AONS32304_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥3.226455

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A (Ta),140A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.3 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5970 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 6.2W (Ta),78W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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+3000:

¥5.575304

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A (Ta),140A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.3 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5970 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 6.2W (Ta),78W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AONS32304_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.082497

+10:

¥11.750243

+100:

¥9.158948

+500:

¥7.566485

+1000:

¥5.97354

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-DFN-EP (5x6)

AONS32304_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.082497

+10:

¥11.750243

+100:

¥9.158948

+500:

¥7.566485

+1000:

¥5.97354

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-DFN-EP (5x6)

艾睿
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AONS32304_未分类
AONS32304
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Trans MOSFET N-CH 30V 140A 8-Pin DFN EP T/R

未分类

+3000:

¥9.452677

+4000:

¥9.357717

+5000:

¥9.264155

+6000:

¥9.171989

+8000:

¥9.079821

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

AONS32304参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A (Ta),140A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.3 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5970 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 6.2W (Ta),78W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerSMD,扁平引线
温度: -55°C # 150°C(TJ)