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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOD482 AOS 授权代理品牌	MOSFETs 100V 6.60 x 6.10mm SMT TO252 32A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.859623 +10：￥21.10119 +30：￥20.749504 +100：￥19.694444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOD482 AOS 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) AOD482 TO-252(DPAK) 下载数据手册未分类	+10：￥5.068944 +100：￥4.129056 +200：￥3.311712 +500：￥2.956896 +800：￥2.74464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AOD482 授权代理品牌	AOD482 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.061687 +5：￥2.985168 +10：￥2.908649 +30：￥2.832014 +50：￥2.781078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AOD482 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.864239 +30：￥1.803117 +100：￥1.757275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252（DPAK）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
AOD482 AOS 授权代理品牌	AOD482 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥2.826457 +100：￥2.178187 +1250：￥1.892948 +2500：￥1.789225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AOD482 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.417353 +200：￥2.158392 +500：￥2.119149 +12000：￥1.962175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252（DPAK）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
AOD482 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	AOD482 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.543578 +1000：￥1.491021 +2000：￥1.426194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AOD482 授权代理品牌	AOD482 BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.367112 +500：￥2.185133 +2000：￥2.003039 +6000：￥1.820945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AOD482 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2426：￥1.917722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252（DPAK）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOD482 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.10294 +5000：￥2.947792 +12500：￥2.836973 +25000：￥2.748318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252（DPAK）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

AOD482参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta），32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	37 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2000 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252（DPAK）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
AOD482 授权代理品牌	AOD482 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.061687 +5：￥2.985168 +10：￥2.908649 +30：￥2.832014 +50：￥2.781078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AOD482 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.864239 +30：￥1.803117 +100：￥1.757275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252（DPAK）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
AOD482 AOS 授权代理品牌	AOD482 AOS 下载数据手册未分类	+1：￥2.826457 +100：￥2.178187 +1250：￥1.892948 +2500：￥1.789225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AOD482 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.417353 +200：￥2.158392 +500：￥2.119149 +12000：￥1.962175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252（DPAK）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
AOD482 UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	AOD482 UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥1.543578 +1000：￥1.491021 +2000：￥1.426194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AOD482 授权代理品牌	AOD482 BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.367112 +500：￥2.185133 +2000：￥2.003039 +6000：￥1.820945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
AOD482 Alpha 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 32A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2426：￥1.917722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252（DPAK）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）