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AON7400A_未分类
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MOSFETs 30V 3.00 x 3.00mm SMT DFN8L_3X3MM-EP 40A N-Channel

未分类

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¥0.871041

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¥0.843479

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¥0.815916

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¥0.760781

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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AON7400A_未分类
AON7400A
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场效应管(MOSFET) AON7400A PDFN-8(3.3x3.3)

未分类

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¥1.104125

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库存: 1000 +

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AON7400A_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥0.925412

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¥0.858298

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-DFN (3x3)

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AON7400A_未分类
AON7400A
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¥1.542883

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库存: 1000 +

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AON7400A_晶体管-FET,MOSFET-单个
AON7400A
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¥0.728262

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¥0.721895

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¥0.721895

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1380 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),25W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AON7400A_晶体管-FET,MOSFET-单个
AON7400A
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¥1.087704

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¥0.958746

+500:

¥0.87146

+1000:

¥0.817746

+5000:

¥0.803739

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1380 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),25W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AON7400A_晶体管-FET,MOSFET-单个
AON7400A
授权代理品牌
+3000:

¥0.805707

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¥0.792279

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¥0.77885

+12000:

¥0.765422

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1380 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),25W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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AON7400A_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥0.760223

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¥0.705935

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¥0.68963

+50000:

¥0.672041

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1380 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),25W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AON7400A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+5000:

¥1.859709

+10000:

¥1.726903

+25000:

¥1.687017

+50000:

¥1.643988

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Ta),40A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1380 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),25W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AON7400A_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.861175

+10:

¥4.974851

+100:

¥3.453805

+500:

¥2.696427

+1000:

¥2.191794

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-DFN (3x3)

AON7400A参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.5 毫欧 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1380 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),25W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN-EP(3x3)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)