品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： AZ23

零件状态： 在售

配置： 1 对共阳极

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 800 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： AZ23

零件状态： 在售

配置： 1 对共阳极

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 800 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： AZ23

零件状态： 在售

配置： 1 对共阳极

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 800 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： AZ23

零件状态： 在售

配置： 1 对共阳极

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.6 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 300 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 40 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 nA 800 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C