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	AS3PMHM3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCH 1KV 2.1A TO277A 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, eSMP® 零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2.1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 37pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A（SMPC）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3PMHM3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCH 1KV 2.1A TO277A 下载数据手册二极管整流器	+4500：￥2.754442 +7500：￥2.623291 +10500：￥2.502202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, eSMP® 零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2.1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 37pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A（SMPC）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3PMHM3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCH 1KV 2.1A TO277A 下载数据手册二极管整流器	+4500：￥4.759667 +7500：￥4.53304 +10500：￥4.323798	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, eSMP® 零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2.1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 37pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A（SMPC）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AS3PMHM3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE AVALANCH 1KV 2.1A TO277A 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥14.879861 +10：￥12.093844 +100：￥9.402806 +500：￥7.978138 +1000：￥6.490153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, eSMP® 零件状态：在售二极管类型：雪崩电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2.1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 3 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 1.2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 37pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-277，3-PowerDFN 供应商器件封装： TO-277A（SMPC）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

AS3PMHM3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, eSMP®
零件状态:	在售
二极管类型:	雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1000 V
电流 - 平均整流 (Io):	2.1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.1 V 3 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	1.2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容:	37pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装:	TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: