AUIRFN8458TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 AUIRFN8458TR 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8458TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥66.6468 +10：￥44.4312 +30：￥37.026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 25V 功率 - 最大值： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8458TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN 下载数据手册	+1：￥55.145582 +200：￥21.345309 +500：￥20.592069 +1000：￥20.220753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 25V 功率 - 最大值： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8458TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.963855	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 25V 功率 - 最大值： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8458TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥5.011964	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 25V 功率 - 最大值： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8458TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥12.260592	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 25V 功率 - 最大值： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRFN8458TR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060pF 25V 功率 - 最大值： 34W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN（5x6）温度： -55°C # 175°C（TJ）

AUIRFN8458TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	43A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1060pF 25V
功率 - 最大值:	34W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）