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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOE6930 AOS 授权代理品牌	2个N沟道下载数据手册未分类	+1：￥6.64378 +10：￥5.955362 +30：￥5.572908 +100：￥5.146744 +500：￥4.960981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaMOS 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A (Tc)，85A (Tc) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 20A，10V，0.83 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA，1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，65nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1075pF 15V，5560pF 15V 功率 - 最大值： 24W，75W 工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 8-DFN（5x6）温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOE6930 Alpha 授权代理品牌	MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 下载数据手册未分类	+3000：￥10.965383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaMOS 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A (Tc)，85A (Tc) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 20A，10V，0.83 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA，1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，65nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1075pF 15V，5560pF 15V 功率 - 最大值： 24W，75W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 8-DFN（5x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOE6930 AOS 授权代理品牌	下载数据手册	+1：￥31.200048 +100：￥24.959952 +1000：￥17.55 +1500：￥14.4 +3000：￥11.232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： DFN 5x6E FET类型： N-Channel 工作温度： -55°C~150°C 栅极电压Vgs： 20V 漏源极电压Vds： 30V 连续漏极电流Id： 22A Rds OnMax@Id,Vgs： 4.3mΩ@20A,10V Pd-功率耗散Max： 24W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOE6930 Alpha 授权代理品牌	MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.531907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaMOS 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A (Tc)，85A (Tc) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 20A，10V，0.83 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA，1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，65nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1075pF 15V，5560pF 15V 功率 - 最大值： 24W，75W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 8-DFN（5x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOE6930 Alpha 授权代理品牌	MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥13.532511	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： AlphaMOS 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A (Tc)，85A (Tc) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 毫欧 20A，10V，0.83 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA，1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，65nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1075pF 15V，5560pF 15V 功率 - 最大值： 24W，75W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 8-DFN（5x6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AOE6930 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥17.740249 +6000：￥17.730199 +9000：￥17.446254 +12000：￥17.271615 +15000：￥17.098233	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AOE6930参数规格

属性	参数值
品牌:	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	AlphaMOS
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A (Tc)，85A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.3 毫欧 20A，10V，0.83 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA，1.9V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15nC 4.5V，65nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1075pF 15V，5560pF 15V
功率 - 最大值:	24W，75W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	8-DFN（5x6）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）