封装/外壳： AlphaDFN2.7x1.8

FET类型： N-Channel

栅极电压Vgs： 8V

漏源极电压Vds： 20V

连续漏极电流Id： 19A

Rds OnMax@Id,Vgs： 5.71mΩ@4.5V

Pd-功率耗散Max： 2.4W

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： AlphaMOS

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 2.4W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XDFN

供应商器件封装： 6-DFN（2.7x1.8）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： AlphaMOS

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 2.4W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-XDFN

供应商器件封装： 6-DFN（2.7x1.8）

温度： -55°C # 150°C（TJ）