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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APL502J Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1352.916226 +200：￥539.828993 +500：￥521.78807 +1000：￥512.871417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 26A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 568W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： ISOTOP® 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APL502J Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥405.849923 +10：￥385.566365 +25：￥375.422202 +100：￥329.762149 +250：￥324.688757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 26A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 568W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： ISOTOP® 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APL502J Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥701.307311 +10：￥666.25739 +25：￥648.728311 +100：￥569.827892 +250：￥561.061087	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 26A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 568W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： ISOTOP® 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APL502J Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 下载数据手册分立半导体模块	+：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 26A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 568W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： ISOTOP® 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APL502J 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 52A 4-Pin SOT-227 Tube 下载数据手册未分类	+10：￥1135.301574 +100：￥1124.715673	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

APL502J参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90 毫欧 26A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	568W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	ISOTOP®
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）