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AO3416L
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AO3416L VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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AO3416L
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: SOT-23-3

FET类型: N-Channel

工作温度: -55°C~150°CTJ

栅极电压Vgs: ±8V

漏源极电压Vds: 20V

连续漏极电流Id: 6.5ATa

Rds OnMax@Id,Vgs: 22mΩ@6.5A,4.5V

Pd-功率耗散Max: 1.4WTa

自营 国内现货
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AO3416L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 6.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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AO3416L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 6.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23-3

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

AO3416L参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1160 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.4W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)