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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRF7379QTR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.259879 +200：￥6.05 +500：￥4.84 +1000：￥4.033293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRF7379QTR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥7.452398 +200：￥2.884799 +500：￥2.786454 +1000：￥2.731818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRF7379QTR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRF7379QTR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRF7379QTR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	AUIRF7379QTR International 授权代理品牌	AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND 下载数据手册未分类	+1：￥13.969396	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Configuration： N and P-Channel Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.8A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 45mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 25nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-SOIC Part Status： Active
	AUIRF7379QTR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRF7379QTR INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥31.689557 +10：￥26.326708 +100：￥20.963861 +250：￥19.338755 +500：￥17.551138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.8A，4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 5.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	AUIRF7379QTR 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4.8A/4.3A Automotive 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+4000：￥8.888012 +8000：￥8.653854	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

AUIRF7379QTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.8A，4.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	520pF 25V
功率 - 最大值:	2.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）