Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 51A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 13.5mOhm @ 31A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 80W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1620 pF @ 25 V

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件,管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 51A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 13.5mOhm @ 31A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 80W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1620 pF @ 25 V