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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT60N60BCSG Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 60A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥145.660509 +200：￥56.373786 +500：￥54.385023 +1000：￥53.412496	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45mOhm 44A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 431W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 [B] 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT60N60BCSG Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 60A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥118.388405 +100：￥96.150425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45mOhm 44A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 431W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 [B] 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT60N60BCSG Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 60A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥289.609406 +100：￥235.209416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45mOhm 44A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 431W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 [B] 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT60N60BCSG Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 60A TO247 下载数据手册晶体管	+1：￥331.067064 +100：￥285.661715	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装： Tube 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45mOhm 44A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 431W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247 [B] 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	APT60N60BCSG 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+30：￥212.741156	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

APT60N60BCSG参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45mOhm 44A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	190 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	431W (Tc)
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-247 [B]
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C (TJ)