封装/外壳： 8-DFN5x6

FET类型： 2N-Channel

工作温度： -55°C~150°CTJ

漏源极电压Vds： 40V

连续漏极电流Id： 34ATc

Rds OnMax@Id,Vgs： 11.3mΩ@10A,10V

Pd-功率耗散Max： 21W

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.3 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1950pF 20V

功率 - 最大值： 21W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.3 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1950pF 20V

功率 - 最大值： 21W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）