封装/外壳： 8-DFN-EP5x6

FET类型： N-Channel

工作温度： -55°C~150°CTJ

栅极电压Vgs： ±25V

漏源极电压Vds： 100V

连续漏极电流Id： 6.5ATa,26ATc

Rds OnMax@Id,Vgs： 25mΩ@20A,10V

Pd-功率耗散Max： 2WTa,35WTc

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SDMOS™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Ta），26A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2W（Ta），35W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线

温度： -55°C # 150°C（TJ）