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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APTGT50H60RT3G_晶体管IGBT

IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3

晶体管IGBT

+100:

¥713.335819

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 全桥反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

功率 - 最大值: 176 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,50A

电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.15 nF 25 V

输入: 单相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SP3

供应商器件封装: SP3

温度: -

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APTGT50H60RT3G_晶体管
APTGT50H60RT3G
授权代理品牌

IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 全桥反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

功率 - 最大值: 176 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,50A

电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.15 nF 25 V

输入: 单相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SP3

供应商器件封装: SP3

温度: -

APTGT50H60RT3G参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
功率 - 最大值: 176 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.15 nF 25 V
输入: 单相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商器件封装: SP3
温度: -