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	AUIRLR3114Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.705641 +200：￥17.254721 +500：￥13.80368 +1000：￥11.503107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	AUIRLR3114Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.417657 +200：￥7.908691 +500：￥7.625113 +1000：￥7.488575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	AUIRLR3114Z International 授权代理品牌	AUTOMOTIVE POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+374：￥7.592468 +1868：￥7.443318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9mOhm 42A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA) 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	AUIRLR3114Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	AUIRLR3114Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	AUIRLR3114Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	AUIRLR3114Z International 授权代理品牌	AUTOMOTIVE POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+281：￥14.17869	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9mOhm 42A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D-PAK (TO-252AA) 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

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	AUIRLR3114Z INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3810 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-PAK（TO-252AA）封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

AUIRLR3114Z参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.9 毫欧 42A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3810 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-PAK（TO-252AA）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）