品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc)，85A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V，1.4 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA，1.9V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，50nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V，4180pF 15V

功率 - 最大值： 24W，52W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc)，85A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V，1.4 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA，1.9V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，50nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V，4180pF 15V

功率 - 最大值： 24W，52W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc)，85A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V，1.4 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA，1.9V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，50nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V，4180pF 15V

功率 - 最大值： 24W，52W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

封装/外壳： DFN 5x6E

FET类型： N-Channel

工作温度： -55°C~150°C

栅极电压Vgs： 20V

漏源极电压Vds： 30V

连续漏极电流Id： 55A

Rds OnMax@Id,Vgs： 5mΩ@20A,10V

Pd-功率耗散Max： 24W

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc)，85A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V，1.4 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA，1.9V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，50nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V，4180pF 15V

功率 - 最大值： 24W，52W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 55A (Tc)，85A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 20A，10V，1.4 毫欧 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA，1.9V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 4.5V，50nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150pF 15V，4180pF 15V

功率 - 最大值： 24W，52W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-VDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 24W, 52W

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 55A (Tc), 85A (Tc)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-DFN (5x6)

Part Status： Active