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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AOD607_DELTA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 12A,10V,37 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA,2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5nC 4.5V,11.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1250pF 15V,1100pF 15V

功率 - 最大值: 25W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD

供应商器件封装: TO-252-4L

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
AOD607_DELTA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道互补型

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 12A,10V,37 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA,2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5nC 4.5V,11.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1250pF 15V,1100pF 15V

功率 - 最大值: 25W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD

供应商器件封装: TO-252-4L

温度: -55°C # 175°C(TJ)

AOD607_DELTA参数规格

属性 参数值
品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 12A,10V,37 毫欧 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA,2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.5nC 4.5V,11.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1250pF 15V,1100pF 15V
功率 - 最大值: 25W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商器件封装: TO-252-4L
温度: -55°C # 175°C(TJ)