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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APTGT100A60T1G_未分类
APTGT100A60T1G

IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

功率 - 最大值: 340 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.1 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SP1

供应商器件封装: SP1

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APTGT100A60T1G_晶体管IGBT

IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1

晶体管IGBT

+17:

¥795.538644

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

功率 - 最大值: 340 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.1 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SP1

供应商器件封装: SP1

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APTGT100A60T1G_晶体管
APTGT100A60T1G
授权代理品牌

IGBT MODULE 600V 150A 340W SP1

晶体管

+17:

¥1011.462336

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

功率 - 最大值: 340 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.1 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SP1

供应商器件封装: SP1

温度: -40°C # 175°C(TJ)

APTGT100A60T1G参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A
功率 - 最大值: 340 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.1 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP1
供应商器件封装: SP1
温度: -40°C # 175°C(TJ)