锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 APTGLQ50DDA65T3G2 条相关记录
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APTGLQ50DDA65T3G_晶体管IGBT

IGBT MODULE 650V 70A 175W

晶体管IGBT

+100:

¥503.341159

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 双路升压斩波器

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A

功率 - 最大值: 175 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,50A

电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.1 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: -

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
APTGLQ50DDA65T3G_晶体管
APTGLQ50DDA65T3G
授权代理品牌

IGBT MODULE 650V 70A 175W

晶体管

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 双路升压斩波器

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A

功率 - 最大值: 175 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,50A

电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.1 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: -

温度: -40°C # 175°C(TJ)

APTGLQ50DDA65T3G参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 双路升压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A
功率 - 最大值: 175 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.1 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: -
温度: -40°C # 175°C(TJ)