封装/外壳： SOT-23-3

FET类型： P-Channel

工作温度： -55°C~150°CTJ

栅极电压Vgs： ±12V

漏源极电压Vds： 20V

连续漏极电流Id： 3.5ATa

Rds OnMax@Id,Vgs： 75mΩ@3.5A,10V

Pd-功率耗散Max： 1.4WTa

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Alpha & Omega Semiconductor Inc.

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.4W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）